반도체 공정 시뮬레이터

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습식 세정 시뮬레이션

SC-1, SC-2, DHF 등 습식 세정 각 단계의 화학 반응과 오염 제거 과정을 실시간 시뮬레이션합니다.

웨이퍼 세정 입문~중급

상세 설명

습식 세정(Wet Cleaning)은 화학 용액을 사용하여 웨이퍼 표면의 오염을 제거하는 방법입니다. SC-1(NH₄OH/H₂O₂)은 파티클과 유기물을, DHF(희석 HF)는 자연 산화막을, SC-2(HCl/H₂O₂)는 금속 이온을 제거합니다. 이 시뮬레이터에서는 각 용액의 농도와 처리 시간을 조절하며 제거 효율의 변화를 실시간으로 관찰합니다(용액 온도는 정식 버전에서 조절합니다).

데모에서 잠긴 손잡이

습식 세정 온도 — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

SC-1 용액의 파티클 리프트오프(lift-off) 메커니즘 이해
DHF의 산화막 식각 속도와 농도의 관계 파악
SC-2 용액의 금속 이온 착화(complexation) 반응 학습
용액 농도·시간이 세정 효율에 미치는 영향 실험

직접 체험해 보세요

웨이퍼 세정의 습식 세정 시뮬레이션을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

습식 세정 시뮬레이션 체험하기 정식 버전 알아보기
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