반도체 공정 시뮬레이터

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진공 리크 진단 — Rate of Rise · He · RGA

베이스 압력이 목표에 못 미치는 챔버를 압력 상승률·헬륨 리크 디텍터·잔류가스 분석기로 진단하고, 맞는 조치를 골라 목표 압력에 닿게 합니다.

Vacuum 기초 입문~중급 (반도체 공정 초보자도 가능)

상세 설명

[조작] 위에서 상황을 고르면 증상과 목표 베이스 압력(2×10⁻⁶ Torr 이하), 그리고 Pirani·BAG·CDG 세 게이지가 지금 압력(고장 상태 약 7×10⁻⁵ Torr)을 어떻게 읽는지가 뜹니다. 그다음은 교재의 트러블슈팅 흐름대로 한 단계씩만 열립니다 — ① 무엇부터 할지 고르고(정답은 Rate of Rise), ② 게이트 밸브를 닫고 10 분 곡선을 재서 선형·포화·섞임을 고르고, ③ 다음 도구(He 리크 디텍터 또는 RGA)를 고르고, ④ 그 도구로 증명합니다 — He 리크 디텍터는 장비 도면(챔버·게이트 밸브·TMP·드라이 펌프, 포라인에 붙은 디텍터)을 띄워 놓고 마우스로 누르고 있는 곳에 He 를 뿌리며, 옆 디텍터 모니터의 리크율 숫자·막대·지난 60 초 그래프로 신호가 튄 자리와 오르는 모양을 봅니다(RGA 는 28÷32 비와 m/z 18 몫). ⑤ 진단(실제·가상·투과·복합)을 고르면 ⑥ 조치 버튼이 열리고, 다시 배기한 압력이 목표에 닿아야 끝납니다. 맞히면 정답과 이유 한 줄이 뜨고 «다음 단계로» 를 눌러 넘어갑니다. 틀리면 그 단계에 머물며 이유가 뜨고, 측정 단계에서 틀리면 측정이 지워져 다시 재야 합니다. 끝나면 정지 시간·효과 없던 조치·잘못 고른 횟수가 적힙니다. [관찰] 실제 리크는 압력이 선형으로 오르고(기울기 비 ≈ 1) He 를 그 자리에 뿌리면 바닥의 수천 배로 곧장 튑니다. 수분 탈가스는 곡선으로 오르다 포화하고(기울기 비 ≈ 0.1) H₂O 가 지배적이며 He 는 어디서도 안 잡힙니다. He 는 가벼워 리크보다 아래에 뿌려도 조금 잡힙니다 — 위에서 아래로 훑는 이유입니다. 화면의 수치는 분위기 파악용 가상 값입니다. 데모에서는 상황 1(도어 O-ring 손상)·2(PM 후 수분)가 열려 있고, 3~5 는 정식 버전에서 열립니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

Rate of Rise 곡선 — 선형이면 밖에서 새는 것, 포화하면 안에서 나오는 것
Q = V·ΔP/Δt 를 포화 곡선에 쓰면 원천을 작게 읽는다
He 는 위로 뜬다 — 분사는 위에서 아래로
RGA 28÷32 ≈ 4 는 대기, m/z 18 지배는 수분 — 그리고 Bake-out 이 고치는 것과 못 고치는 것

직접 체험해 보세요

Vacuum 기초의 진공 리크 진단 — Rate of Rise · He · RGA을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

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