상세 설명
Thermal CVD는 전구체(precursor) 가스를 고온(400~900°C)으로 가열하여 열분해시키고, 분해된 반응종이 기판 위에서 화학 반응하여 박막을 형성합니다. 이 시뮬레이터에서는 가스 유동, 경계층 형성, 표면 반응, 박막 성장의 전 과정을 시각화합니다. 온도, 압력, 가스 유량이 증착 속도와 균일도에 미치는 영향을 실험합니다.
본진에서 이어 보기
LPCVD — 온도 창과 Arrhenius, 세 박막의 반응 조건 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
데모에서 잠긴 손잡이
N₂ 유량 — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
Thermal CVD의 가스 운반 → 흡착 → 반응 → 탈착 메커니즘
반응 율속(reaction-limited)과 물질 전달 율속(mass-transport-limited) 영역
온도에 따른 증착 속도의 아레니우스 관계
LPCVD vs APCVD의 균일도 차이 원리