상세 설명
PECVD(Plasma Enhanced CVD)는 플라즈마의 에너지를 이용하여 전구체 가스의 분해 온도를 낮추는 기술입니다. 200~400°C의 비교적 낮은 온도에서 증착이 가능하여 금속 배선 위의 절연막 등 온도 제약이 있는 공정에 필수적입니다. 이 시뮬레이터에서는 RF 파워, 가스 조성, 압력이 SiO₂, SiNₓ 막의 증착 속도와 품질에 미치는 영향을 실험합니다.
본진에서 이어 보기
PECVD — 저온 증착과 막질의 트레이드오프 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
PECVD의 저온 증착 원리(플라즈마 활성화)
Thermal CVD 대비 PECVD의 장단점 비교
RF 파워·가스 비율이 막질(굴절률, 응력)에 미치는 영향
SiO₂, SiNₓ PECVD 막의 특성과 응용