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DUV/EUV 노광 비교

DUV(193nm)와 EUV(13.5nm) 노광 기술의 해상도와 패터닝 성능을 비교 체험합니다.

Lithography 중급

상세 설명

DUV(Deep Ultraviolet, 193nm)는 ArF 레이저를 광원으로 사용하며, 액침(immersion) 기술과 다중 패터닝으로 미세화를 추구합니다. EUV(Extreme Ultraviolet, 13.5nm)는 플라즈마 광원에서 발생하는 극자외선을 사용하여 단일 노광으로 미세 패턴을 구현합니다. 이 탭의 해상도 계산기에서 광원(KrF·ArF·ArF 액침·EUV·High-NA EUV)과 k₁, 목표 반피치를 바꾸며 R = k₁·λ/NA 와 초점 심도를 계산하고, 목표 패턴을 한 번에 찍을 수 있는지(다중 패터닝이 필요한지) 확인합니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

DUV ArF 레이저(193nm)의 해상도 한계와 극복 방법
EUV(13.5nm) 광원 생성 원리와 반사형 광학계
해상도 계산기: R = k₁·λ/NA 로 광원별 반피치 비교, NA↑ 이면 초점 심도(DOF ∝ λ/NA²)가 더 빨리 얕아지는 맞바꿈
DUV 다중 패터닝 vs EUV 단일 노광의 장단점

직접 체험해 보세요

Lithography의 DUV/EUV 노광 비교을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

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