상세 설명
실리콘 식각은 (1) 반응 가스 흡착, (2) 표면 반응, (3) 생성물 탈착의 3단계로 진행됩니다. 불소계 가스(SF₆, CF₄)를 사용할 경우 F radical이 Si 표면에 흡착되어 SiF₄를 형성하고, 이 휘발성 생성물이 표면에서 탈착됩니다. 이 탭에서는 각 단계의 반응 메커니즘, 율속 단계(rate-limiting step), 이온 보조 식각(ion-assisted etching)의 역할을 분석합니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
Si 식각 3단계(흡착 → 반응 → 탈착) 메커니즘
율속 단계가 식각 특성을 결정하는 원리
이온 보조 식각(ion-assisted etching)의 역할
패시베이션층(passivation layer) 형성과 이방성의 관계