반도체 공정 시뮬레이터

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확산 공정 시뮬레이션

열확산(Thermal Diffusion)에 의한 도펀트 분포 변화를 시뮬레이션합니다.

Implantation 중급~고급

상세 설명

열확산은 고온에서 도펀트 원자가 농도 구배를 따라 이동하는 도핑 방법입니다. Fick의 법칙에 따라 확산 프로파일이 결정되며, 온도와 시간이 핵심 파라미터입니다. 이 시뮬레이터에서는 확산 온도, 시간, 표면 농도를 조절하며 도펀트 프로파일의 변화를 실시간으로 관찰합니다. 일정 표면 농도(predeposition)와 일정 총량(drive-in) 조건을 비교합니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

Fick의 제1법칙과 제2법칙의 물리적 의미
일정 표면 농도(erfc) vs 일정 총량(Gaussian) 프로파일
확산 온도·시간에 따른 접합 깊이(xj) 변화
도펀트 종류(B, P, As)별 확산 계수 차이

직접 체험해 보세요

Implantation의 확산 공정 시뮬레이션을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

확산 공정 시뮬레이션 체험하기 정식 버전 알아보기

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