이 시뮬레이터는 무엇인가
이온주입(Implantation)은 불순물 이온을 가속하여 실리콘 내부에 주입하는 도핑 공정입니다. 주입 에너지로 깊이를, 도즈량(Dose)으로 농도를 정밀하게 제어할 수 있어 현대 반도체 제조의 표준 도핑 방법입니다. 주입 후에는 어닐링(열처리)을 통해 격자 손상을 회복하고 불순물을 활성화합니다. 이 시뮬레이터에서는 에너지, 도즈에 따른 Gaussian 분포 프로파일, LSS 이론 기반 계산, 확산 공정 비교 등을 실험합니다.
공정 흐름에서의 위치: 이온주입은 트랜지스터의 소스/드레인/채널 도핑에 사용되며, 이후 배선 공정으로 소자를 연결합니다.
무엇을 배울 수 있나
- 이온주입의 원리와 확산 도핑과의 차이 이해
- 주입 에너지, 도즈량, 틸트 각도의 역할 학습
- Gaussian 분포 프로파일과 Rp(투사 비정) 개념 이해
- LSS(Lindhard-Scharff-Schiøtt) 이론의 기초 학습
- 어닐링을 통한 격자 회복 및 불순물 활성화 과정 이해
학습 경로
반도체 8대 공정 순서에 따른 학습 경로입니다. 순서대로 학습하면 공정 간 연관성을 이해하는 데 효과적입니다.
⚡ Vacuum 기초
🧽 웨이퍼 세정
🔥 Oxidation
💡 Lithography
⚡ Plasma
⚗️ Etching
📦 Deposition
⚛️ Implantation
🔌 배선검사패키징
데모에서 체험 가능한 기능
도핑 공정 5단계 이론, 이온주입 프로파일 시뮬레이션, 확산 공정 시뮬레이션, 어닐링 과정, 도즈/에너지 최적화, 퀴즈
정식 버전에서 확장되는 기능
SIMS 프로파일 분석, 채널링 효과 시뮬레이션, 고에너지 주입(MeV), 다단계 주입 설계
정식 버전에서는 100개 이상의 시뮬레이터와 심화 학습 콘텐츠를 제공합니다.
탭별 상세 가이드
Implantation 시뮬레이터의 각 탭별 학습 내용을 자세히 알아보세요.