반도체 공정 시뮬레이터

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이온주입 프로파일 시뮬레이션

주입 에너지와 도즈량을 조절하며 Gaussian 프로파일 변화를 실험합니다.

Implantation 중급~고급

상세 설명

이온주입에서 주입 에너지는 이온의 침투 깊이(Rp, projected range)를, 도즈량(Dose)은 주입 농도를 결정합니다. 이 시뮬레이터에서는 에너지(keV~MeV), 도즈(10¹²~10¹⁶ cm⁻²), 이온 종류(B⁺, P⁺, As⁺)를 선택하며 Gaussian 분포 프로파일이 어떻게 변하는지 실시간으로 확인합니다. ΔRp(straggle)에 따른 분포 폭 변화도 관찰합니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

주입 에너지와 Rp(투사 비정)의 관계
도즈량이 피크 농도에 미치는 영향
ΔRp(straggle)가 분포 폭을 결정하는 원리
이온 종류(B, P, As)별 질량 차이에 따른 프로파일 차이

직접 체험해 보세요

Implantation의 이온주입 프로파일 시뮬레이션을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

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