이 시뮬레이터는 무엇인가
산화(Oxidation)는 실리콘 웨이퍼 표면에 SiO₂ 절연막을 형성하는 공정으로, 게이트 절연막, 소자 분리, 표면 보호 등 다양한 목적으로 사용됩니다. 건식 산화(Dry Oxidation)는 얇고 치밀한 막을, 습식 산화(Wet Oxidation)는 빠르게 두꺼운 막을 형성합니다. 이 시뮬레이터에서는 온도, 시간, 산화 방식에 따른 산화막 두께 변화를 Deal-Grove 모델 기반으로 직접 실험하고 분석합니다.
공정 흐름에서의 위치: 산화는 세정 후 수행되며, 형성된 산화막은 리소그래피에서 패턴을 전사할 기판이 됩니다.
무엇을 배울 수 있나
- 건식 산화와 습식 산화의 차이점과 적용 분야 이해
- Deal-Grove 모델의 선형/포물선 영역 개념 학습
- 온도·시간·분위기가 산화막 두께에 미치는 영향 분석
- 게이트 산화막의 품질 요구사항 이해
- 산화 공정의 트러블슈팅 능력 배양
학습 경로
반도체 8대 공정 순서에 따른 학습 경로입니다. 순서대로 학습하면 공정 간 연관성을 이해하는 데 효과적입니다.
데모에서 체험 가능한 기능
산화 공정 개요, 열산화 실험 시뮬레이션, Deal-Grove 모델 기반 산화 영향 인자 분석, 트러블슈팅, 퀴즈
정식 버전에서 확장되는 기능
다층 산화막 시뮬레이션, LOCOS/STI 소자 분리 공정, 고유전율 물질(High-k) 비교, 실제 레시피 기반 실험
정식 버전에서는 100개 이상의 시뮬레이터와 심화 학습 콘텐츠를 제공합니다.
탭별 상세 가이드
Oxidation 시뮬레이터의 각 탭별 학습 내용을 자세히 알아보세요.