상세 설명
실리콘 산화는 Si 표면에 산소나 수증기를 공급하여 SiO₂를 성장시키는 공정입니다. 건식 산화(O₂)는 얇고 치밀한 고품질 막을, 습식 산화(H₂O)는 빠르고 두꺼운 막을 형성합니다. 이 탭에서는 산화 퍼니스의 구조, 산화 반응의 화학식, 건식/습식 산화의 특성 비교를 통해 산화 공정의 기초를 다집니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
열산화 반응(Si + O₂ → SiO₂)의 기본 화학 이해
건식 산화와 습식 산화의 성장 속도 및 막질 차이
산화 퍼니스의 구조와 온도 프로파일
게이트 산화막, 필드 산화막 등 용도별 요구사항