상세 설명
건식 식각에서 사용하는 가스 종류에 따라 식각 속도, 선택비, 프로파일이 크게 달라집니다. SF₆는 빠른 Si 식각에, CF₄는 SiO₂ 식각에, Cl₂는 Al/Si 식각에, HBr은 높은 선택비의 Si 식각에 주로 사용됩니다. 이 탭에서는 각 가스의 해리 반응, 활성종 생성, 표면 반응 메커니즘을 비교하고 RIE 조건별 최적 가스를 선택하는 기준을 학습합니다.
본진에서 이어 보기
플라즈마 식각 — 식각률·선택비·프로파일 실습 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
주요 식각 가스(SF₆, CF₄, Cl₂, HBr)의 특성 비교
각 가스의 해리 반응과 활성종(radical, ion) 생성
가스 혼합비가 식각 선택비와 프로파일에 미치는 영향
대상 물질(Si, SiO₂, Si₃N₄)별 최적 가스 선택 기준