반도체 공정 시뮬레이터

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가스별 Si 식각 반응

SF₆ · CF₄ · Cl₂ · HBr이 플라즈마에서 라디칼로 쪼개져 실리콘을 휘발성 부산물로 떼어내는 과정을 3D로 관찰합니다.

Etching 중급

상세 설명

식각 가스는 플라즈마에서 분해되어 반응성이 큰 라디칼(F*, Cl*, Br*)을 만들고, 라디칼은 실리콘 표면과 반응해 SiF₄ · SiCl₄ · SiBr₄ 같은 휘발성 부산물로 빠져나갑니다. 이 탭은 가스 네 가지를 골라 가며 분해 → 라디칼 확산 → 표면 반응 → 부산물 배출을 3D로 지켜보는 관찰 화면입니다. 라디칼 화학만 다루며, 수직(이방성) 식각을 만드는 이온 충돌과 측벽 보호막은 포함하지 않습니다.

본진에서 이어 보기

플라즈마 식각 — 식각률·선택비·프로파일 실습 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

플라즈마 분해 → 라디칼 확산 → 표면 반응 → 부산물 배출의 흐름
가스별 라디칼 종류와 부산물(SiF₄ · SiCl₄ · SiBr₄) 비교
불소계(SF₆ · CF₄)가 빠르고 등방성인 이유
라디칼만으로는 수직 식각이 되지 않는 이유 — 이온의 역할은 별도

직접 체험해 보세요

Etching의 가스별 Si 식각 반응을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

가스별 Si 식각 반응 체험하기 정식 버전 알아보기
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