상세 설명
실리콘 식각 과정을 3D로 시각화하여 식각 프로파일의 형성 과정을 직관적으로 이해합니다. 이온 에너지, 가스 유량, 압력 등의 파라미터를 조절하며 수직 프로파일, 테이퍼 프로파일, 보잉(bowing), 언더컷 등 다양한 식각 형상이 만들어지는 과정을 관찰합니다. 실시간 렌더링으로 파라미터 변화에 따른 프로파일 변화를 즉시 확인할 수 있습니다.
본진에서 이어 보기
플라즈마 식각 — 식각률·선택비·프로파일 실습 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
데모에서 잠긴 손잡이
HBr 유량 · Ar 유량 — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
식각 프로파일(수직, 테이퍼, 보잉, 언더컷) 형태별 특성
이온 에너지가 이방성에 미치는 영향 시각 확인
가스 유량·압력이 식각 속도와 프로파일에 미치는 영향
Over-etch와 Under-etch의 판별 기준