상세 설명
[조작] 패키징 탭 맨 위 실습입니다. 세대(HBM2~HBM4), 쌓는 D램 층 수, 층 사이를 잇는 방식(마이크로범프 · 하이브리드 본딩), 프로세서 둘레 스택 수를 고릅니다. 먼저 «HBM 은 왜 빠를까 — 핀이 빨라서? 통로가 많아서?»를 예측하고 미션 넷(HBM3 대 GDDR6 · HBM4 · 16단 · 스택 8개)을 풉니다. [관찰] 인터포저 위 스택과 TSV 를 3D 로, 높이 한도 안의 베이스 · D램 다이 · 범프 틈을 실제 두께 비율 단면으로 봅니다. 대역폭은 데이터 폭 × 핀 속도라 HBM4 는 핀이 느려도 폭이 두 배라 더 빠르고, 층을 늘리면 다이가 얇아지고 범프 틈이 높이를 먹습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
대역폭 = 데이터 폭 × 핀 속도 ÷ 8 — HBM 은 통로가 넓어서 빠르다
높이 한도 안에 층을 늘리면 다이 한 장이 얇아진다
하이브리드 본딩이 범프 틈을 없애 층 수 여유를 만든다
스택 수가 용량과 대역폭을 함께 늘린다
직접 체험해 보세요
배선검사패키징의 HBM 적층 실습 — 쌓고, 뚫고, 옆에 붙인다을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.
HBM 적층 실습 — 쌓고, 뚫고, 옆에 붙인다 체험하기 정식 버전 알아보기배선검사패키징의 다른 학습 탭
🧱 HBM 적층 실습 — 쌓고, 뚫고, 옆에 붙인다
🔌 금속배선 시뮬레이션
⚙️ Damascene 공정 시뮬레이션
🔍 EDS 검사 시뮬레이션
🎯 EDS 수율 실습 — 결함 밀도와 다이 크기
📦 패키징 유형 비교
🔗 2.5D/3D 첨단 패키징
🔩 본딩 연결점 실습 — 둘레로 잇나, 면으로 잇나