상세 설명
CCP(Capacitively Coupled Plasma)는 두 평행 전극 사이에 RF 전력을 걸어 플라즈마를 만드는 방식입니다. 블로킹 커패시터를 거쳐 RF를 건 작은 전극에는 자기 바이어스(V_dc)라는 음전압이 생기고, 그 전압이 웨이퍼로 떨어지는 이온의 에너지를 정합니다. 이 탭에서는 장비 손잡이(파워·압력·주파수·RF 전극 지름)를 돌려 V_dc, 시스 두께, 플라즈마 밀도, 시스 안 이온 충돌이 함께 움직이는 것을 보고, 장비 단면(RF 제너레이터·정합기·블로킹 커패시터·접지)과 단일 주파수 CCP의 한계를 정리합니다.
원리 설명
CCP 자기 바이어스 — 웨이퍼를 올린 전극은 왜 음전압이 될까 — 같은 계산으로 움직이는 단면 시뮬레이터와 함께 원리를 글로 정리한 페이지입니다.
본진에서 이어 보기
이온 에너지 분포(IEDF) — 주파수·소스·바이어스·압력이 분포를 바꾸는 방식 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
데모에서 잠긴 손잡이
면적 지수 q — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
자기 바이어스(V_dc)가 음전압이 되는 이유 — 전자·이온 이동도 차이와 블로킹 커패시터
면적비 법칙 V̄₁/V̄₂ = (A₂/A₁)^q 와 RIE 가 웨이퍼를 작은 RF 전극에 두는 이유
파워·압력·주파수가 V_dc·밀도·시스 두께·이온 충돌을 바꾸는 방향
단일 주파수 CCP 에서 이온 에너지와 밀도를 따로 못 정하는 한계