상세 설명
ICP(Inductively Coupled Plasma)는 코일에 RF 전력을 인가하여 유도 전기장으로 플라즈마를 생성하는 방식입니다. CCP보다 높은 플라즈마 밀도를 달성할 수 있으며, 이온 에너지와 밀도를 거의 독립적으로 제어할 수 있는 장점이 있습니다(바이어스 전력을 고정하면 소스↑에 |V_dc| 가 내려갑니다). 이 탭에서는 ICP의 코일 구조, 전력 결합 메커니즘, 4단계 플라즈마 생성 프로세스를 학습합니다.
본진에서 이어 보기
이온 에너지 분포(IEDF) — 주파수·소스·바이어스·압력이 분포를 바꾸는 방식 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
ICP 코일 구조(나선형, 평판형)와 유도 전기장 생성
ICP 4단계 플라즈마 생성 프로세스 이해
CCP 대비 ICP의 고밀도 플라즈마 장점
바이어스 전력 고정 시 소스↑ → 이온 전류↑ → |V_dc|·이온 에너지↓ (단일 주파수 CCP 는 파워↑에 함께 오른다)