반도체 공정 시뮬레이터

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Synergy Effect 실험

Ion과 Radical의 시너지 효과가 식각 속도와 프로파일에 미치는 영향을 실험합니다.

Plasma 중급~고급

상세 설명

플라즈마 식각에서는 화학적 식각(Radical)과 물리적 식각(Ion bombardment)이 동시에 작용합니다. 이 두 메커니즘의 조합은 각각 단독으로 작용할 때보다 훨씬 높은 식각 속도를 만들어내는데, 이를 Synergy Effect라 합니다. 이 시뮬레이터에서는 Ion 에너지와 Radical flux를 독립적으로 조절하며 시너지 효과의 크기를 정량적으로 확인합니다.

원리 설명

이온·라디칼 시너지 — 따로는 5와 2인데 같이 쪼이면 왜 55가 될까 — 같은 계산으로 움직이는 단면 시뮬레이터와 함께 원리를 글로 정리한 페이지입니다.

데모에서 잠긴 손잡이

패턴 밀도 — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

Chemical etching(Radical)과 Physical etching(Ion)의 차이
Synergy Effect: 1+1 > 2가 되는 메커니즘 이해
Ion 에너지와 Radical flux 비율에 따른 식각 특성 변화
Synergy Effect를 활용한 이방성 식각 프로파일 구현

직접 체험해 보세요

Plasma의 Synergy Effect 실험을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

Synergy Effect 실험 체험하기 정식 버전 알아보기
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