상세 설명
ALD(Atomic Layer Deposition)는 전구체 A 투입 → 퍼지 → 반응제 B 투입 → 퍼지의 4단계 사이클을 반복하여 원자 한 층씩 박막을 성장시키는 기술입니다. 자기 제한적(self-limiting) 표면 반응 덕분에 옹스트롬 수준의 두께 제어가 가능합니다. 이 시뮬레이터에서는 ALD 사이클을 직접 돌려보며 포화 곡선, 성장률(GPC), 온도 윈도우를 관찰합니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
ALD 4단계 사이클(전구체/퍼지/반응제/퍼지)의 역할
자기 제한적 성장(self-limiting growth)의 원리
GPC(Growth Per Cycle)와 온도 윈도우 개념
ALD의 우수한 단차 피복성(conformality)과 응용