상세 설명
Thermal CVD는 전구체(precursor) 가스를 고온(400~900°C)으로 가열하여 열분해시키고, 분해된 반응종이 기판 위에서 화학 반응하여 박막을 형성합니다. 이 시뮬레이터에서는 가스 유동, 경계층 형성, 표면 반응, 박막 성장의 전 과정을 시각화합니다. 온도, 압력, 가스 유량이 증착 속도와 균일도에 미치는 영향을 실험합니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
Thermal CVD의 가스 운반 → 흡착 → 반응 → 탈착 메커니즘
반응 율속(reaction-limited)과 물질 전달 율속(mass-transport-limited) 영역
온도에 따른 증착 속도의 아레니우스 관계
LPCVD vs APCVD의 균일도 차이 원리