상세 설명
CCP(Capacitively Coupled Plasma)는 두 평행 전극 사이에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 방식입니다. 구조가 단순하고 이온 에너지 제어가 용이하여 식각 공정에 널리 사용됩니다. 이 탭에서는 CCP의 전극 구조, 쉬스(sheath) 형성, DC 자기 바이어스, 이중 주파수(dual frequency) CCP 등을 분석합니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
CCP의 평행 평판 전극 구조와 플라즈마 생성 원리
쉬스(sheath) 영역의 형성과 이온 가속 메커니즘
DC 자기 바이어스(self-bias)의 발생 원리
단일 주파수 vs 이중 주파수 CCP의 차이