이 시뮬레이터는 무엇인가
이온주입(Implantation)은 불순물 이온을 가속하여 실리콘 내부에 주입하는 도핑 공정입니다. 주입 에너지로 깊이를, 도즈량(Dose)으로 농도를 정밀하게 제어할 수 있어 현대 반도체 제조의 표준 도핑 방법입니다. 주입 후에는 어닐링(열처리)을 통해 격자 손상을 회복하고 불순물을 활성화합니다. 이 시뮬레이터에서는 에너지, 도즈에 따른 Gaussian 분포 프로파일, LSS 이론 기반 계산, 확산 공정 비교 등을 실험합니다.
공정 흐름에서의 위치: 이온주입은 트랜지스터의 소스/드레인/채널 도핑에 사용되며, 이후 배선 공정으로 소자를 연결합니다.
무엇을 배울 수 있나
- 이온주입의 원리와 확산 도핑과의 차이 이해
- 주입 에너지, 도즈량, 틸트 각도의 역할 학습
- Gaussian 분포 프로파일과 Rp(투사 비정) 개념 이해
- LSS(Lindhard-Scharff-Schiøtt) 이론의 기초 학습
- 어닐링을 통한 격자 회복 및 불순물 활성화 과정 이해
학습 경로
반도체 8대 공정 순서에 따른 학습 경로입니다. 순서대로 학습하면 공정 간 연관성을 이해하는 데 효과적입니다.
⚡ Vacuum 기초
🧽 웨이퍼 세정
🔥 Oxidation
💡 Lithography
⚡ Plasma
⚗️ Etching
📦 Deposition
⚛️ Implantation
🔌 배선검사패키징
데모에서 체험 가능한 기능
도핑 공정 5단계 이론, 이온주입 프로파일 시뮬레이션, 확산 공정 시뮬레이션, 어닐링 과정, 도즈/에너지 최적화, 퀴즈
정식 버전에서 확장되는 기능
이온주입 라인(빔라인 질량 분석 → 주입·비정질화 → 어닐 재결정·활성화 → SIMS·4탐침 측정 → 소자 미션 채점)
정식 버전에서는 100개 이상의 시뮬레이터와 심화 학습 콘텐츠를 제공합니다.
본진에서 이어 보기
같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리한 SemiFab AI 본 사이트의 모듈입니다.
탭별 상세 가이드
Implantation 시뮬레이터의 각 탭별 학습 내용을 자세히 알아보세요.