상세 설명
RTA(Rapid Thermal Annealing)는 수 초~수십 초의 짧은 시간에 900~1100°C 고온으로 가열하여, 도펀트 확산은 최소화하면서 활성화는 달성하는 기술입니다. 램프 가열(halogen lamp)로 급속 승온/냉각이 가능합니다. 이 시뮬레이터에서는 레시피·목표 온도·승온률·시간을 조절하며 램프 존별 온도 프로파일과 제어를 관찰합니다(도펀트 프로파일은 확산·이온주입 탭에서 봅니다).
본진에서 이어 보기
도펀트 확산 — 주입→어닐·프리데포→드라이브인 실습과 접합 깊이 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.
데모에서 잠긴 손잡이
RTA 분위기 가스 · RTA 압력 — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.
이 탭에서 배울 수 있는 것
RTA의 급속 승온/냉각 메커니즘(램프 가열)
짧은 열처리 시간으로 확산 억제 + 활성화 달성 원리
승온률·유지 시간이 만드는 온도 프로파일(Spike vs Soak)
USJ(Ultra Shallow Junction) 형성에서의 RTA 역할
직접 체험해 보세요
Implantation의 RTA(급속 열처리) 시뮬레이션을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.
RTA(급속 열처리) 시뮬레이션 체험하기 정식 버전 알아보기Implantation의 다른 학습 탭
⚙️ RTA(급속 열처리) 시뮬레이션
📈 확산 공정 시뮬레이션
🎯 이온주입 프로파일 시뮬레이션
🔄 확산 vs 이온주입 비교
🌡️ Annealing 효과 시뮬레이션
💡 이온주입 적용 가이드