반도체 공정 시뮬레이터

상세 설명

이온주입에서 주입 에너지는 이온의 침투 깊이(Rp, projected range)를, 도즈량(Dose)은 주입 농도를 결정합니다. 이 시뮬레이터에서는 에너지(10~400 keV), 도즈(10¹¹~10¹⁷ cm⁻²), 이온 종류(B·P·As·In·Sb), 틸트를 바꾸며 Gaussian 분포 프로파일이 어떻게 변하는지 실시간으로 확인합니다. ΔRp(straggle)에 따른 분포 폭 변화도 관찰합니다. 채널링은 계산에 넣지 않았습니다.

본진에서 이어 보기

이온 주입 — 에너지·질량별 Rp와 ΔRp, 문헌값 대조 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.

데모에서 잠긴 손잡이

소자 프리셋 — 데모 화면에서는 회색으로 고정되어 있고 정식 버전(기관 서고)에서 조절할 수 있습니다. 나머지 손잡이는 데모에서 그대로 돌려 볼 수 있습니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

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