반도체 공정 시뮬레이터

상세 설명

[조작] 확산 탭 맨 위 실습입니다. 도펀트(인 · 붕소)를 고르고 ① 정원 확산의 온도(850~1050°C)·시간(5~60분)·표면 농도 Cs(10¹⁸~10²¹ cm⁻³), ② 드라이브인의 온도(950~1200°C)·시간(0~240분)을 정한 뒤 «공정 돌리기»를 누르면 확산로가 ① 도펀트 가스 → ② N₂·O₂ 만으로 차례로 굽습니다. 먼저 «100°C 올리면 확산 계수는 몇 배?»를 예측하고, 미션 넷(드라이브인 온도 올리기 · 정원 확산 시간 늘리기 · 접합 1 µm·표면 5×10¹⁸ 이하 맞추기 · 짧은 드라이브인)을 풉니다. [관찰] 정원 확산 직후(erfc)와 드라이브인 뒤 두 곡선을 같은 로그 축에, 두 단면을 같은 깊이 눈금에 나란히 봅니다. 드라이브인 동안 들어간 양(도즈 Q = 2·Cs·√(D₁t₁/π))은 그대로라 표면은 내려가고 접합은 깊어집니다. 정원 확산 시간을 네 배로 늘리면 도즈는 두 배가 되지만 접합은 조금만 깊어지고, 깊이는 드라이브인 온도가 가장 세게 정합니다. 드라이브인이 짧으면 교과서 가우스와 달리 아직 erfc 모양이 남습니다.

본진에서 이어 보기

도펀트 확산 — 주입→어닐·프리데포→드라이브인 실습과 접합 깊이 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

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