반도체 공정 시뮬레이터

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Annealing 효과 시뮬레이션

이온주입 후 어닐링에 의한 격자 회복과 도펀트 활성화를 시뮬레이션합니다.

Implantation 중급~고급

상세 설명

이온주입은 결정격자에 손상을 남기고, 어닐링(열처리)으로 격자를 회복하며 도펀트를 격자 자리에 앉혀야 전기적으로 일합니다. 이 화면은 그 과정을 격자 애니메이션으로 보여 줍니다 — 이온 종류(B·P·As)와 에너지를 고르면 이온이 이온주입 탭과 같은 엔진의 깊이(Rp·ΔRp)에 멈추고, 플럭스·산란·격자 강성을 바꾸며 손상이 쌓이는 모습을 보고, RTA 버튼으로 원자가 제자리를 찾아가는 것을 봅니다(정성 연출 — 활성화율·면저항 수치는 계산하지 않습니다).

본진에서 이어 보기

도펀트 확산 — 주입→어닐·프리데포→드라이브인 실습과 접합 깊이 — SemiFab AI 본 사이트의 공정 모듈입니다. 같은 공정을 식·표·인터랙티브 실습으로 정리했습니다.

이 탭에서 배울 수 있는 것

이온주입 격자 손상(point defect, amorphization)의 유형
어닐링 온도에 따른 격자 회복 메커니즘(SPE, 재결정)
격자 자리에 앉은 도펀트만 전류를 나른다는 것(활성화)
어닐링이 손상을 회복하는 동시에 확산을 일으킨다는 맞바꿈

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Implantation의 Annealing 효과 시뮬레이션을(를) 지금 바로 사용해 볼 수 있습니다.

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